Gaianixx、セカンドラウンドクローズでシリーズB総額13.5億円の資金調達を実施

Gaianixx、セカンドラウンドクローズでシリーズB総額13.5億円の資金調達を実施



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追加で3.5億円を調達、研究開発・生産・販売体制のさらなる加速化を推進多能性(R)中間膜及びエピタキシャル研究開発・製造・販売を推進する株式会社Gaianixx（読み：ガイアニクス、本社：東京都文京区、代表取締役 中尾健人）は、JICベンチャー・グロース・ファンド2号投資事業有限責任組合、アルコニックスグローバルイノベーションファンド投資事業有限責任組合、SMBCベンチャーキャピタル７号投資事業有限責任組合を引受先とした第三者割当増資により、シリーズBセカンドラウンドにて3.5億円の資金調達を実施しました。今回の調達により、シリーズB総額13.5億円、創業からの累計資金調達額は18.5億円となります。
※SeriesB ファーストラウンド：総額10億円◆資金調達の背景と目的当社の中間膜技術は、次世代の電子デバイスやセンサー、そしてエネルギーハーベスティングシステムなどの基盤となる可能性を秘めています。私たちはこの中間膜技術が持つ大いなる可能性を確信しております。今回の更なる資金調達により、次材料への取組み・研究開発・量産体制の構築を加速させ、当技術の商業化に向けて大きく前進できると確信しています。◆調達資金の使途今回調達した資金は、主に以下の領域に投資する予定です。研究開発の強化：新たな設備投資を行うことで、中間膜技術の性能、信頼性、量産性を向上及び市場からのニーズの高い次材料の更なる研究開発に取り組みます。量産体制の構築：量産機立ち上げに向けた装置等の購入や、量産体制を見据えた新たな生産拠点の構築を図ってまいります。採用の強化：研究開発、事業開発、量産体制の構築を加速化させるために、より多くの同志が必要です。調達資金を活用して、有能な即戦力人材獲得を推進します。これにより、当社は圧電体の結晶膜を初めとする化合物結晶膜及びその他薄膜製造における技術リーダーシップを確立し、世界の多くの産業に対する価値提供を拡大することを目指しています。■投資家からのコメント
JICベンチャー・グロース・インベストメンツ株式会社　プリンシパル　林隼氏
日本では電力の需給バランスが今後タイトになるという見通しもある中、半導体の高性能化と電力消費量の削減は喫緊の課題です。
当社は稀有な中間膜を用いて半導体の機能向上を目指しており、上述課題に対して有効な解決になり得るのではないかと考えこの度出資させていただくこととなりました。加えて経験豊富な経営陣、ユニークなビジネスモデル、ポジションを構築されようとしていることも併せて評価させて頂いております。
今後は当社の広範なネットワークを生かしてGaianixx社の企業価値向上、技術の社会実装に貢献して参ります。アルコニックス株式会社　事業戦略部　植山喬氏
Gaianixx社のコア技術である多能性(R)中間膜は、非Si系である化合物半導体の市場を一変させる革新的技術です。5G・AI・IoT等デジタル社会の進展に伴い、私たちの暮らしの中にある電子機器に求められる“省電力”、“小型化”、“高性能化”という機能を大きく向上させる可能性を秘めています。
長年の基礎研究に裏付けられた同技術に加え、半導体業界に精通したプロフェッショナルな創業メンバー、東京大学及び業界大手企業各社との連携といった強固な体制を評価し、投資を決定致しました。
アルコニックスグループは今回の出資に加え、弊社のグローバルセールスネットワークを活かし、Gaianixx社の企業価値の向上、本技術の社会実装に貢献してまいります。SMBCベンチャーキャピタル株式会社　投資営業第二部次長　岡田邦明氏
半導体は様々な社会課題解決の基盤を担っていますが、特に脱炭素社会の早期実現には化合物半導体の性能向上と、製造工程における歩留まり改善によるコスト低減が不可欠です。基板の品質に左右されず、様々な素材に対して高品質な単結晶膜の成膜を可能とするGaianixx社の独自技術は、それらの課題を解決し、サステナブルな社会の早期実現に大きく寄与するものと期待しております。中尾社長がビルドアップされたチーム体制は力強く、研究開発/製造/品質管理/ビジネスの各分野において非常に高いパフォーマンスを持つメンバーであり、この革新的な技術を必ず社会実装する力があると確信し、ご出資させて頂きました。
SMBCグループとして、半導体業界にイノベーションを起こそうとするGaianixx社の挑戦を全力で応援させて頂きます。■代表取締役　中尾健人
本ラウンドでも当社の技術及び事業内容を新たな機関投資家様や事業主様（CVC）に幅広く御理解頂き、当社多能性(R)中間膜がもつ化合物半導体やその他の薄膜に大きなイノベーションをもたらし、半導体市場でのゲームチェンジの可能性に大きな関心と期待を持って頂きました事に改めて感謝をしております。現在、多数の事業者様との共同開発が進んでおり、株主様との強固な連携を初め、産業に関わる企業との「競争」ではなく「共創」を実現し、経済・産業全体の発展と革新のサポートをし、今後も成長を加速させていく半導体エコシステムへの貢献を目指して参る所存です。

（言葉の説明）
多能性(R)中間膜とは
基板と半導体膜の格子不整合を駆動力として双晶型マルテンサイト変態を生じ、格子不整合を緩和し上部半導体膜を高品質結晶化させるGaianixx独自の中間膜。

エピタキシャル成長とは
結晶基板の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて単結晶の薄膜を配列する成長機構。

株式会社Gaianixxについて
株式会社Gaianixxは「多能性(R)中間膜”で世界をリノベートする」ことをミッションとして、多能性(R)中間膜及びエピタキシャル研究開発・製造・販売する東京大学発テクノロジーベンチャー企業です。
現在Gaianixxではミッション実現に向けて協働してくれる仲間を積極的に探しております。募集中のポジションはhttps://gaianixx.com/recruit/をご覧ください。募集中のポジションに当てはまるものがなくとも、Gaianixxで半導体業界にイノベーションを起こす仲間に入ることに興味がある方は https://gaianixx.com/contact/ までご連絡ください。＜会社概要＞
会社名：株式会社Gaianixx
本社所在地：東京都文京区本郷7-3-1東京大学 南研究棟アントレプレナーラボ
代表者：代表取締役社長CEO　中尾健人
設立日：2021年11月
事業内容：多能性(R)中間膜及びエピタキシャル研究開発・製造・販売
URL：https://gaianixx.com/

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