6Gにおけるサブテラヘルツ帯の超高速無線を実現する小型無線デバイス ～InP集積IC技術により300GHz帯において世界最高の160Gbpsデータ伝送に成功～

用語解説
※1：InP-HEMT
HEMT（高電子移動度トランジスタHigh Electron Mobility Transistorの略称）は、電子回路に用いられるトランジスタの一種であり、その名の通り、高い電子移動度を利用可能な構造をしているため、高周波特性に優れることで知られています。とくに、インジウム・リン（InP）半導体基板上に作られるHEMTのことをInP-HEMTと称します。InP-HEMTは、InP基板上に結晶成長可能な半導体で、非常に電子移動度の大きいInGaAs（インジウム・ガリウム・ヒ素）を電子走行層に用いることができるため、HEMTの中でもさらに優れた高周波特性を有します。

※2:フロントエンド
Front-End（FE）とは、無線通信を行うためのハードウェアであるトランシーバにおいて、空間との電波のやり取りを行うアンテナから、電波に重畳されるデータの信号処理を行うベースバンド部（ディジタル回路）との間に位置するアナログ回路群の総称です。トランシーバ内で、電波から見て最も空間に近い位置（すなわち、端部）に配置されることからこのように称されます。

※3：LOリーク
ミキサは、局部発振信号（Local Oscillator (LO)信号）を用いることで低周波信号を300GHzなどの高周波信号に周波数変換します。このLO信号の一部はミキサから漏洩し、これをLOリークと呼称します。LOリークが増幅器に入力されると増幅器の利得が低下する等、他の回路への悪影響があります。

※4：差動構成
位相が180°異なる信号のペア（差動対）の間の電位差を電気信号として用いる回路構成のことです。これとは別に、信号と接地電位（グランド）との間に生じる電位差を信号として用いる回路構成を、シングルエンド構成と呼びます。差動構成の回路は、外部からの雑音に強い、今回のようにLOリークを除去できるなどのメリットがあります。

※5：バラン
シングルエンド信号と差動信号とを変換する機能を持つ回路のことです。

※6：同相除去機能
本来は180°位相が異なる電気信号が伝搬する差動対に、同じ位相の電気信号（同相信号）が伝搬することがあります。同相信号は、差動構成のもつメリットを失わせる効果をもつため除去することが望ましく、そのために、差動信号を選択的に増幅して同相信号は増幅しない（あるいは減衰させる）機能を持つ差動増幅器が重要となります。このような差動増幅器の機能を同相除去機能と称します。

※7：変換利得
ミキサやFEのように周波数を変換する機能を有する回路において、変換前後の信号強度の比を変
報道解禁日時：2024 年 10 月 28 日（月）午後 3 時
換利得と称します。通常の増幅器の利得（増幅率）に相当する性能指標です。

※8：信号対雑音比
一般に、通信に用いる信号には、雑音が重畳されています。雑音の量が多くなると、正確に信号を読み取ることが難しくなります。そこで、信号と雑音との強度の比である信号対雑音比（Signal to noise ratio (SNR)）が通信の品質をあらわす量として用いられます。ビット誤り率（BER）とSNRとは相関があり、BER 1/1000に相当するSNR（今回のように16QAMを用いる場合には、 16.5dB）が良く指標になります。