電力効率・安全性・信頼性を向上させる低消費電力IGBTの新製品を発表

PR TIMES / 2014年4月2日 10時16分

小さいターンオフ損失と、設計自由度を高める650V耐圧を組み合わせた最新の高速IGBT

STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、IGBT（絶縁ゲート型
バイポーラ・トランジスタ）の新製品であるHBシリーズを発表しました。同製品
シリーズは、高速動作する競合製品と比較して、ターンオフ時の電力損失を
最大40%低減すると共に、導通損失も最大30%低減します。

STの先進的なTrench-Gate Field-Stop High-Speed技術を採用したHBシリーズは、
コレクタ・テール電流（ターンオフ時）を小さくし、飽和電圧（Vce(sat)）を
1.6V（標準）と非常に低く抑えることで、ターンオフおよび通電時の電力損失を
最小化しています。また、最適に制御されたプロセスにより、パラメータの
分布幅を狭め、再現性の向上とシステム設計の簡略化を実現します。

このHBシリーズIGBTは、太陽光発電システム用インバータ、IH機器、溶接機、
無停電電源、力率改善コンバータ（PFC）、およびその他の高周波パワー・
コンバータ等の電力効率を向上させます。650Vの定格電圧は、周辺温度が
-40℃まで下がった場合でも最低600Vのブレークダウン電圧を保証するため、
寒冷地向けの太陽光発電システム用インバータにも最適です。さらに、175℃の
最大動作接合部温度と安全動作領域（Safe Operating Area : SOA）の拡大が
信頼性を高め、ヒートシンクの小型化を可能にしています。

また、最大定格電流（30A～80A : 100℃時）や各種パワー・パッケージの
オプションの他、共振回路やハードスイッチング回路向けに最適化された
ダイオード内蔵製品も用意されています。

HBシリーズは現在量産中で、STGW30H65FBの単価は、1000個購入時に約2.14ドル
です。

詳細については、 http://www.st.com/igbt をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・
プロセッシング　ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を
提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・
セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、
家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆる
シーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた
技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。
2013年の売上は80.8億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト
（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

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〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス（株）
アナログ・MEMS・パワー製品グループ
TEL: 03-5783-8250　FAX: 03-5783-8216

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