プロセスノードに加えて新技術も売り込む！ Intelが半導体の「受託生産」で使う“武器”【後編】

　例えば「★」型に切り抜いたシールをお腹に貼って日焼けをすると、★型の日焼け跡ができる。これを★型でなくプロセッサ内部の配線パターンとし、ウエハ上に焼き付けるのがリソグラフィー技術となる。

　難しい話を省略して結論だけを言うと、光の波長が短ければ短いほど、微細度の高いリソグラフィーを作れるようになるため、最新の半導体プロセスではEUVを用いることがトレンドとなっている。

　Intel 3には、派生プロセスとして「Intel 3-T」も用意される。これはIntel 3に「TSV（Through Silicon Via：シリコン貫通電極）」を適用できる拡張版だ。

　詳細は前回の記事でも触れているが、Intel Foundryは、卓越したパッケージング技術に最大の特徴がある。Intel 3-Tを用いて製造したダイなら、前回の記事でも触れた「Foveros 2.5D＆3D」的な、ダイ同士を貼り合わせたパッケージングも可能だ。

　「Intel 20A」と「Intel 18A」は、処理性能を最重要視するプロセスノードとして訴求される。イメージ的に、Intel 20Aは「Intel 18Aの初期版」的な位置付けとなっているようで、Intel自身はもちろん、顧客もIntel 18Aの方を本命視している節がある。

　ナノメートル（nm）を想起する一桁から、突然数値が二桁に増えて驚いた人もいるかもしれないが、18Aや20Aは、かつて原子や分子の大きさを測るのに使われていた「オングストローム（Angstrom）」に由来している。単位は「Å」で表記されるが、同社のプロセス表記ではアルファベットの「A」に置き換えられている。

　半導体のプロセスノードは3nmの先、つまり2nmクラス以降は小数点を刻むことになることが見えてきている。ゆえに「1nm＝10Å」であるこの単位を引っ張り出してきたわけである。

　なお「Intel ○○A」は、TSMCにおける2nm以降のプロセスノードの10倍の値をイメージすれば良いようだ（例：TSMCの2nmプロセスは、Intel 20Aに近いイメージ）。

　次のページでは、オングストローム世代のプロセスで使われる新技術について解説していこう。

●オングストローム世代のプロセスで使われる新技術

　このオングストローム世代のIntelプロセスでは、「2つの新技術」が採用されることがアピールされている。